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原子层沉积隔膜阀 ALD系列






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我们提供的先进 ALD 阀门技术，具有超高高循环寿命，提高芯片生产效率。
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原子层沉积隔膜阀 ALD系列
原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是⼀种可以将物质以单原子膜形成⼀层⼀层的沉积在基底表面的方法。XINVAL ALD 系列原子层沉积隔膜阀可应用于原子层沉积工艺，在半导体芯片制造的沉积工艺中输送精确剂量的气体，以实现先进技术所需的均匀气体沉积。
特点
高速执行下的超高循环寿命
响应速度快，可在低于15ms内完成阀门开启或关闭
阀门流量⼀致性±3％以内
耐热型延长热应用场合的执行器寿命
全封闭阀座设计，具有优越的抗膨胀和防污染能力
钴镍合金隔膜提高强度和耐腐蚀，使用寿命长
高纯级 PFA 阀座，广泛的化学兼容性
适合超高纯应用场合
模块化表面安装、卡套管对焊和金属面密封端接可选择
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